光迅科技拟募资19.45亿元,用于高端光器件项目

2021/11/16 责任编辑:swift

11月14日,光迅科技发布公告称,已审议通过《关于公司符合非公开发行A股股票条件的议案》。

公告显示,光迅科技本次非公开发行股票募集资金总额不超过194,511.36万元(含194,511.36万元),扣除发行费用后用于以下项目:

本次非公开发行股票募集资金到位之前,公司将根据项目进度的实际情况以自筹资金先行投入,并在募集资金到位之后按照相关法律法规规定的程序予以置换。若实际募集资金净额低于拟投入募集资金金额,则不足部分由公司自筹解决。

高端光通信器件生产建设项目资料显示,本项目拟在武汉市东湖新技术开发区综合保税区新建67,874.00平方米厂房及配套设施,其中预留10,000.00平方米的面积,另购置65,727.75万元先进生产设备,投产后形成年产5G/F5G光器件610.00万只、相干器件、模块及高级白盒13.35万只、数通光模块70.00万只的规模。项目建设完成后,将有助于提升公司生产能力,解决公司产能瓶颈,升级工艺平台及封装能力,提升高端产品供货能力,充分满足客户交付要求,逐步扩大市场份额,增强自身盈利水平,巩固公司在行业内的领先地位。

本项目计划投资总额为128,474.29万元,其中建设投资110,559.28万元,铺底流动资金15,703.83万元,预备费2,211.19万元。项目建设期为2.5年。

分析报告显示,近年来,在5G新基建、数据中心大规模建设的推动下,公司新产品持续放量,产品结构不断优化,公司最近三年毛利率逐年增加,盈利能力明显提升。未来随着行业的进一步发展,新应用需求的进一步推动,下游客户对数据传输速率的需求也将不断提升,必将带动上游高端光通信器件产品技术升级,未来公司产品结构需进一步优化以契合行业发展趋势。

公司使用本次非公开发行募集资金投入高端光通信器件生产建设项目,可加快优化公司产品结构,加速公司产品向高端演进,并提高生产效率,进一步扩充高端光通信器件产品的产能,对于公司保持行业领导地位具有战略意义。

高端光电子器件研发中心建设项目资料显示,本项目拟建设研发办公场地6,240平方米,研发实验室27,800平方米,预留面积10,000平方米,从总部调配180名研发技术人员,另引进600名研发技术人员,建设国内先进、与公司发展相匹配的研发中心。本项目建成后将为公司搭建一个综合的研发平台,提高公司整体研发水平,加快公司产品更新迭代,拓展业务发展链条,促进公司可持续发展。

研发中心重点解决5G、数据通信前沿核心光电子产品需求,满足国内亟需的下一代光通信接入、智能光网络、超高速数据中心的应用需求,在公司传输、接入、数据通信等技术和产品基础上,进行硅基光电子先进封装工艺、硅基光电子产品、50GPON技术、波长选择开关(WSS)、超宽带放大器技术等相关工艺、产品、技术的开发,进一步增加公司技术储备,确保公司产品竞争力的可持续性。

本项目总投资87,952.08万元,其中建筑工程费23,105.00万元,软硬件购置费用36,393.32万元,设备安装工程费用1,699.11万元、工程建设其他费用2,635.25万元,研发费用22,842.75万元、预备费1,276.65万元。项目建设期为3年。

本次募集资金投资项目紧密结合电信市场、骨干网、数据中心等应用领域主流技术发展趋势,在坚持技术“跟跑”不掉队的基础上,掌握更多的“并跑”技术,力争实现局部“领跑”的核心技术突破,提升自主可控技术能力,筑高公司技术护城河,对提高公司研发及综合竞争实力、提升行业综合排名和公司发展战略目标均具有重要意义。

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