近日，在第十届国际第三代半导体论坛开幕式上，由长飞先进参与制定的T/CASAS 042—2024《SiC MOSFET 高温栅偏试验方法》、T/CASAS 043—2024《SiC MOSFET 高温反偏试验方法》、T/CASAS 044—2024《SiC MOSFET 高压高温高湿反偏试验方法》3项SiC MOSFET测试与可靠性标准正式发布并实施。
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）具有阻断电压高、工作频率高、耐高温能力强、通态电阻低和开关损耗小等特点，广泛用于高频、高压功率系统中。随着电力电子技术的不断发展，越来越多的领域如电动汽车、光伏、储能、充电桩、航空航天等迫切需要能够在高压、小散热体积、低损耗要求下工作的电子器件。本次由长飞先进参与制定，第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）发布的一系列SiC MOSFET测试与可靠性标准，旨在为SiC MOSFET功率器件提供一套科学、合理的测试与评估方法，支撑产品性能提升，推动产业高质量发展。
一直以来，长飞先进作为国内最早研发碳化硅器件的IDM厂商之一，不仅高度重视技术研发与自主创新，同时还积极承担着行业发展重任。截至目前，长飞先进已参与并发布多项国家及行业标准，包括《半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法》、《碳化硅单晶抛光片》、《碳化硅外延片表面缺陷的测试 激光散射法》、《碳化硅外延层厚度的测试 红外反射法》、《碳化硅外延片》5项国家标准，以及《碳化硅少数载流子寿命测定 微波光电导衰减法》、《碳化硅晶片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法》、《电力系统高压功率器件用碳化硅外延片使用条件》等多项行业、团体标准。
面向未来，长飞先进将持续聚焦碳化硅功率半导体产品研发及制造，以高水平技术与人才优势为基础支撑，积极参与国内外碳化硅行业相关标准制定及应用推广，为行业高质量发展贡献力量。
本文来源：长飞先进
