“从建设进度来看,项目设备搬入和量产通线将大幅提前。我们离‘圆梦’越来越近了!”
日前,武汉新城,长飞先进武汉基地,相关负责人介绍,该项目11月起设备就能进驻厂房,明年年初开始调试,预计5月可以量产通线,随后将开启良率提升和产能爬坡。
长飞先进武汉基地聚焦第三代半导体功率器件研发与生产,总投资预计超过200亿元,其中项目一期总投资80亿元,规划年产36万片6英寸碳化硅晶圆。
2023年8月25日,长飞先进半导体第三代半导体功率器件研发生产基地落户光谷。7天后,项目正式启动建设。今年6月,主体结构全面封顶。
“从去年9月打下第一根桩,到今年6月实现结构封顶,厂房建设耗时不到10个月,对于一个投资百亿级的超大型项目而言,速度非常快。”项目负责人介绍。
按照原计划,项目将于2025年1月设备搬入,2025年7月量产通线,2026年年底达到满产。目前,项目进度提前了2个月。
长飞光纤执行董事兼总裁、长飞先进董事长庄丹表示,第三代化合物半导体在新能源汽车、光伏储能、电力电网、轨道交通等领域具有广阔的应用场景。“我国拥有第三代化合物半导体的最大应用市场,发展第三代化合物半导体对于提升国际竞争力意义重大。”
光谷具备设计、制造、封装、测试等半导体全产业链条,拥有成熟的产业环境,聚集大量产业人才。去年开始,长飞先进在武汉招聘了数百名人才,他们目前在长飞先进芜湖基地的碳化硅产线上积累工作经验。随着生产设备搬入,部分产业人才将分批回到武汉,参与武汉基地设备调试、量产通线工作。
“目前全球碳化硅市场处于供不应求状态,长飞先进将持续加大研发投入力度,力争早日实现量产通线,将武汉基地打造成世界一流的碳化硅器件制造标杆工厂。”项目负责人说。
本文来源:湖北日报