2021/04/07 责任编辑:swift
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近日,据外媒报道,芯片制造商SK海力士新建工厂的规划得到韩国政府批准。该工厂总投资额将达到1060亿美元,总面积将达到415万平方米,计划主要生产DRAM芯片,定于2021年第四季度开工,2025年建成投产。这一大型工厂将包含四个晶圆加工厂,每个月产量为80万片。
SK海力士表示,将在未来10年内开发10nm以下制程工艺的DRAM芯片,以及600层堆叠的NAND闪存。截至目前,该公司已经成功研发出176层堆叠的3DNAND。