三星电子西安NAND闪存产能扩建项目将于月底动工

据韩联社报道，三星电子西安NAND闪存生产线扩建项目将于本月底正式动工。

相关资料显示，早在2017年的8月30日，陕西省政府便与韩国三星电子签署合作协议，宣布三星电子将在西安高新区建设三星电子存储芯片二期项目，已确定的首次投资为70亿美元（约合463亿元）。

据悉，三星电子存储芯片项目于2014年5月建成投产，一期总投资100亿美元于2016年上半年全部完成。

三星与西安高新区的合作早已有之。2013年底，三星投资5亿美元，建设闪存芯片生产项目的后工程—封装测试项目，并于2015年4月竣工投产；2016年3月，三星电子在西安高新区设立了三星半导体中国区销售总部—三星半导体（西安）有限公司；2016年9月，三星电子决定增资3.7亿美元启动封装测试项目二期建设，项目于2017年上半年完成，至此西安工厂承担部分韩国芯片工厂产品的封装测试工作，其产能提升到年产1000万块固态硬盘。

与此同时，三星电子也在加强对国内设备线的投资。2月24日，三星电子在华城半导体工厂内举行了极紫外光（EUV）生产线动工仪式。