台积电突破2nm芯片技术

2020/07/14 责任编辑:swift 访问:1334

近日,据台湾相关媒体报道,台积电2nm芯片技术研发已取得重大突破,找到了实现的路径,将切入环绕式栅极技术(gate-all-around,GAA)。按照台积电的计划,其2nm制程芯片将在2023年-2024年间推出。

台积电3nm制程芯片预计明年上半年在南科18厂P4厂试产,并将于2022年量产。台积电今年4月曾表示,3nm制程芯片仍会沿用FinFET(鳍式场效应晶体管)技术,主要考虑是客户在导入5nm制程后,采用同样的设计即可导入3nm制程,可以持续带给客户有成本竞争力、效能表现佳的产品。

据悉,台积电的竞争对手三星已决定在3nm技术领域率先导入GAA 技术,并宣称到2030年超过台积电,取得全球逻辑芯片代工龙头地位。台积电在2nm技术研发上取得突破,再次获得对三星的相对领先优势。

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